1.现有的关于磁耦合多谐振荡器的不少文献，是用磁饱和现象来说明问题的。
2.这是一个典型的不稳多谐振荡器电路。
3.对两种非对称式TTL与非门多谐振荡器进行了分析，提出了两种间接测量TTL与非门参量的方法，并对它们的可行性进行了实验验证。
4.由于采用两级多谐振荡器，一级作为调制波发生器，一级作为输出脉冲发生器。