沟道

1.通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOIMOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应。

2.对于0.18m及0.18m以下的器件而言最大的挑战之一就是如何减少短沟道效应，解决这一挑战的方法是使用超浅结工艺。

3.全区的护田林带已达200多公里,许多侵蚀剧烈的沟道、河川被沙棘固定。

4.第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。

5.提出了近北远南、截流沟道、河滩漫流、排口分级管理的新观点。

6.本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。

7.模拟结果显示：越细长的沟道，器件的短沟效应越弱，器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大。

8.沟道化是断陷湖盆重力流沉积的一大特色，探讨了其有别于经典海相重力流相模式的原因。

9.实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致，晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。

10.特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。

11.这样在源和漏之间就产生了一个导电的n型沟道.

12.被排出的浆液通过沟道被送到吸收塔排水坑.

13.最后，模拟研究了“双沟道”MESFET结构，并根据模拟仿真的直流输出特性以及击穿特性，优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。

14.传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。

15.绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。

16.其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。

17.经分析，是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大，势垒区耗尽层远小于沟道宽度，栅压起不到明显的调控作用。

18.藉由本发明可以在维持元件密度的情况下制作较宽的字线，避免短沟道效应，提升元件的效能。

19.带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。

20.它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.